Manufacturarum X-meritarum Materiae Thermoelectricae extructa fundata est in Bi2Te3-Sb2Te3 solida solutio materiae elementorum refrigerationis thermoelectricae, modulorum Peltier, et temperaturae temperaturae componentium.
Sunt Bi2Te3-substructio materiae semiconductoris per technologiam extrusionem processit ad structuras densas, subtilia-granatas et texturas obtinendas.
Comparata cum methodis praeparationis fundationis traditionalis fundatae, extrusio processus melioris compages frumenti per deformatio plastica, augens processus mechanicas perficiendi conservando proprietates thermoelectricas.
Systemata principalia materialia includunt:
● Bi2Te3-Sb2Te3 Admiscetur thermoelectrica: Usus ad applicationes refrigerationis thermoelectricae prope locus temperatus.
● N-Type Materiae Thermoelectricae: cum P-typo Materiae deducta ut coniuges thermoelectricas formant.
● P-Type Materiae Thermoelectricae: Provide notas electricas complementarias in TEC structuras.
Applicationes includunt:
● Thermoelectrica Elementa Refrigerandi: Semiconductor componentes ad systema refrigerandum Peltier.
● Peltier Modulae: refrigerationem machinae in elementis thermoelectricis fundatae.
● Micro TEC Components: Tenues structurae thermoelectricae pro instrumento pacti.
● Multi-scaena TEC Structurae: infrigidantes stratos structuras quaerunt elementum congruentem effectum.
● Temperate Imperium machinae: Componentes ad systemata scelerisque ordinanda.
|
Parameter |
Specification |
|
Materia Systema |
Bi2Te3-Sb2Te3 |
|
Materia Type |
N-Type / P-Type Materiae Thermoelectricae |
|
Longitudo extruditur Ingot |
120 mm / 240 mm |
|
Diameter extruditur Ingot |
25 mm / 30 mm / 35 mm |
|
Electrical Conductivity |
870-1430 Ohm⁻¹cm⁻¹ |
|
Material Structure |
Densa compages textured |
|
Tenues Chip Processing Capability |
Ad 0,2 mm |
Mechanica proprietates tangunt sectionem, dividentem, extenuantem, et processus conventus in TEC fabricandis. Extrusio processus melioris compages intergranulares per deformationem plasticam et defectus structurarum in machinis minuit.
|
Mechanica Property |
N-Type Material |
P-Type Material |
|
Fortitudo compressive (MPa) |
54.0 |
66.0 |
|
Fortitudo tondendas (MPa) |
16.0 |
21.0 |
|
Young's Modulus (GPa) |
47.0 |
42.0 |
|
Poisson's Ratio |
0.30 |
0.30 |
Materia vires thermoelectricae astulae discursum ad crassitudines usque ad 0,2 mm permittunt.
Notae key:
● Conductivity Electrical: 870-1430 Ohm⁻¹cm⁻¹.
● Structura materialis: Densa et uniformis structura interna.
● Texturae Orientatio: granum moderatum orientationis elementi constantiam.
● Thermoelectrica euismod Parameter: Reaches 2.9 × 10⁻³ sub 25°C vacuum conditionibus.
Zona traditio liquatio materiae thermoelectricae consequi potest, sed limitationes habere potest in sectione et extenuatione propter notas fissuae.
|
Comparatio Item |
Extractum Bi2Te3-Sb2Te3 Materials |
Traditional Zona liquescens Materials |
|
Internum Structure |
Densa compages textured |
Directional crystal structure |
|
Mechanica Processing |
Superiore resistentia in sectione et extenuatione |
More sensitivo ad vitia relatas FISSIO |
|
Tenues Chip Fabricatio |
0,2 mm tenuibus TEC componentibus subsidia |
Difficilius est ultra tenues processus |
|
Materia Constantia |
Imperium textura uniformitatem |
Dependens cristallum incrementum conditionibus |
|
Applications |
Micro TEC, multi scaena TEC, subtilitas refrigerandi |
Conventional TEC applications |
Cogitationes thermoelectricae refrigerantes libratas electricas, scelerisque et mechanicas proprietates requirunt.
Clavis commoda:
Tenues Chip Facultas: Virtus Mechanica subsidia dividentia et extenuantia processus pro chippis thermoelectricis usque ad 0,2 mm.
Uniformitas structuralis: structurae texturae constantiam inter elementa thermoelectrica adhibita in multi- elementis et multiformibus TEC conformationibus emendant.
Materia Structura: Auxilia frumenti melioris compages conservant integritatem materialem in cyclis calidis et infrigidationibus crebris.
Densa Structura: Altitudo densitatis materialium structurae ad compositiones thermoelectricas componendas aptae sunt.
Optical Communicatio Refrigerium: Pro tenuibus elementis thermoelectricis in transceptivo et laser temperatura systemata temperantia adhibita.
Applicationes:
● Transceiver refrigerationem: Temperatura temperantiarum partium opticarum.
● Laser Diode Temperature Imperium: ordinatio scelerisque pro laserarum machinationibus.
● Fiber Communicationis Moduli: Foedera structurae refrigerationis.
Multi-stratum structurae refrigerationis: Ubi multae stratae thermoelectricae constantem observantiam requirunt.
Applicationes:
● Structurae Thermoelectricae: Multi-strauit TEC configurationes.
● Eximia Subactio Temperaturae Control: systemata scelerisque ordinatio.
● Foedus refrigerandi rationes: spatium finitum applicationes refrigerandi.
Magna-Diameter Ingots extruditur: Usus est ad maiorem compositionem thermoelectricae refrigerationis.
Applicationes:
● Industrialis Temperature Control Equipment: localis scelerisque procuratio.
● Electronic refrigerationem Systemata: Semiconductor scelerisque imperium.
● Semiconductor Equipment: Subsecutio electronic refrigeratio.
Subtilitas Refrigerium Components: adhibentur in refrigeratione medicinae et laboratorium temperaturae instrumenti ditionis.
Applicationes:
● Refrigeration Systems Medical
● Laboratorium Temperature Control Equipment
● Investigationis Instrumenta
|
Materia Type |
Praecipua Characteres |
Applications |
|
Bi2Te3-Sb2Te3 |
Thermoelectric perficientur prope locus temperatus |
TEC modulorum, Peltier refrigerandi partes |
|
N-Type Bi2Te3 |
Electrical conductivity et mechanicas vires |
Thermoelectric elementum pairs |
|
P-Type Bi2Te3-Sb2Te3 |
Mechanica vires et thermoelectric characteres |
TEC refrigerationem structurae |
X-meritanus integrationem thermoelectricae materialem praeparationem, extrusionem processus, processus elementi et integrationem conventus complectitur.
Vestibulum processus:
● Praeparatio materialis: Praeparatio compositionum materialium thermoelectricarum.
● Extrusio Processus: formatio densarum structurarum textarum.
● Elementum Processus: Secans ac formans elementa thermoelectrica.
● Connexio electrica: connexio et connexio.
● Conventus Integratio: Integratio structurarum thermoelectricarum.
● Procuratio comprobatio: Inspectio partium processuum.
Apparatus productio:
● stannum tingens fornacem
● Vibratio adductius machinam fingunt
● machina Welding
Oven
● dispensatio machinae
● Automatic machinae signationem
● machina secans
● Soliificatio apparatus
● Reflows solidatorium apparatibus
● Plene automatice apparatus excudendi
Materiae Thermoelectricae X-meritae extructae in Bi2Te3-Sb2Te3 materiae fundantur cum proprietatibus electricis moderatis, structurae spissis textis et notis mechanicis pro TEC fabricandis.
Specificationes includunt conductivity electricae 870-1430 Ohm⁻¹cm⁻¹, vis compressiva usque ad 66 MPa, dimensiones regulae extructae 120 mm / 240 mm longitudinis et 25 mm / 30 mm / 35 mm diametri, et scissurae processus facultatis usque ad 0,2 mm.
Materiae pro fabricandis TEC adhibentur, moduli Peltier, refrigerationis communicationis opticae, temperaturae medicae imperium, ac semiconductor applicationum thermarum administratio.
Oratio
Building C2, R&F Center, Shangpu Road, Taijiang District, Fuzhou City, Fujian Province, China
Tel
Promptus ut satus tua proximam scelerisque procurationem incepto vel petentibus competitive pretium quote? TheX-meritanengineering and sales team is standing by to analyse your project requirements, recommend convenient standard TEC models, or discuss fully custom thermoelectric cooler making options.
Simpliciter imple inquisitionem formam cum parametris operantibus tuis, ut onus caloris, temperatura ambiens, temperatura lateralis, mensurae frigidae scopum, et annuum volumen aestimatum.Nostrae technicae fabrum venditiones tuas scelerisque angustias recensebunt et respondebunt cum singillatim citatione et ipsum taxationem intra XXIV horas negotiandi.
