nostrum Thermoelectric Cooler Conventibus excultae sunt pro instrumento exigente pacto, locali et moderato temperaturae administratione.X-Meritanprogressionem materialem thermoelectricam, TEC customizationem componentem, et consilium conventus ad optica, medica, industrialis, automotiva, electronica et applicationes investigationis sustinet.
Nostrae materiae thermoelectricae in bi₂Te₃ relatae systemata adhibentur ad applicationes temperaturae circa condiciones ambientium. Etiam materias Bi₂Te₃-Sb₂Te₃ extructas fabricationis componentium TEC efficimus, cum optiones materiales et processus selectas secundum compositi operis requisita.
X-Meritan augescit materias thermoelectricas extructas Bi₂Te₃-Sb₂Te₃ utens summus pressurae processus deformationis plasticae. Processus extrusionis densam, textam structuram cum meliore compaginatione intergranulari producit, materiam subsequentem incisionem et extenuantem sustinens.
Haec materialis structura utilis est ad TEC components, quae requirit dimensionalem constantiam et resistentiam mechanicam in processu. Secundum consilium componentis et condiciones fabricandi, elementa thermoelectrica ad crassitudines usque ad 0,2 mm discurrere possunt.
|
Parameter |
Specification |
|
Materia Systema |
Bi₂Te₃-Sb₂Te₃ fundatur |
|
Diameter Ingot |
25 mm / 30 mm / 35 mm |
|
Ingot Longitudo |
120 mm / 240 mm |
|
Electrical Conductivity |
870-1430 Ω⁻¹·cm⁻¹ |
|
Tenuis elementum Capability |
Usque ad 0,2 mm, secundum consilium et processus |
|
Property |
P Type |
N Type |
|
Compressive fortitudo |
54.0 MPa |
66.0 MPa |
|
tondendas virtus |
16.0 MPa |
21.0 MPa |
|
Modulus |
47.0 GPa |
42.0 GPa |
|
Ratio in Poisson |
0.30 |
0.30 |
|
Temperature |
Directio |
N Type |
P Type |
|
-25°C |
Per extrusionem |
10.2 10⁻⁶/K |
10.6 10⁻⁶/K |
|
-25°C |
per extrusionem |
12.5 10⁻⁶/K |
10.8 10⁻⁶/K |
|
+50°C |
Per extrusionem |
13.3 10⁻⁶/K |
14.0 × 10⁻⁶/K |
|
+50°C |
per extrusionem |
16.6 × 10⁻⁶/K |
18.0 10⁻⁶/K |
|
+150°C |
Per extrusionem |
15.5 10⁻⁶/K |
15.8 10⁻⁶/K |
|
+150°C |
per extrusionem |
18.3 10⁻⁶/K |
19.9 10⁻⁶/K |
Ultimus gradus materialis, elementum geometriae, et condiciones dispensandae secundum TEC consilio et applicatione intentum determinantur.
Modi optici et partes lasericae sensitivae ad temperiem variationem esse possunt. TEC conventus praebere stabilizationem caliditatis localis ubi constantes condiciones operandi requiruntur.
Instrumentum medicinae et industriae requiri potest condiciones temperaturas moderatas intra structuras compactas. Technologia thermoelectrica solida-statua considerari potest pro applicationibus quae ad refrigerationem vel calefactionem localem pertinent.
Automotiva systemata electronica in spatiis compactis et sub mutationibus condicionum environmentalium operari possunt. Solutiones TEC explicari possunt ad partes selectas ubi requiritur procuratio scelerisque localis.
Foedus electronicarum litterarum potest habere spatium limitatum ad structuras refrigerandas conventionales. Technologia thermoelectrica sine partibus moto mechanica administrationem localem temperatam praebere potest.
Apparatus investigationis saepe applicationes specificas temperaturas requisita habet. TEC configurationes aptari possunt ad conditiones operandas et apparatum structuram requisitam.
TEC qualis conventus pendet a constantia materialis necnon processuum conventus, sicut solidatio, refluxus, dispensatio, nexus electrica, signatio et inspectio.
Facultates productionis X-Meritani includunt apparatum solidandi, refluendi, dispensandi, incidendi, signandi, curandi, imprimendi, et operationes conventus pertinentes. Specialitas lineae productionis et facultates probativae subsidia componentis conventus et inspectionis productionis sunt.
Ratio administrationis qualitatis sequitur ISO 9001:2015. RoHS et SUM obsequio informationes praesto sunt ad applicabiles fructus et configurationes, cum certis documentis confirmatis secundum materiam vel congregationem suppeditatam.
X-Meritanae subsidia nativus TEC componentibus et comitiis innituntur in custo- graphiis, exemplaribus physicis, specificationibus technicis, vel instrumentis requisitis.
Processus progressus sequi potest:
Applicationem Review → Material Electio → TEC Component Design → Conventus Configuratio → Sample Aestimatio → Productio
Ad partes existentes, extractio vel specimen physicum adhiberi potest ut relatio ad reproductionem vel modificationem. Ad nova incepta, technicae requisita recensentur antequam schematismi conventus perficiatur.
Exempla produci possunt pro aestimatione et approbatione emptoris ante productionem voluminis cum opus fuerit.
Sequentia informationes adiuvat ut aptam TEC configurationem definiant:
|
Informationes |
Propositum |
|
Calor Lond |
Refrigerium facultatem requiratur definit |
|
Scopum Temperature |
Constituit requiratur temperatus imperium |
|
Ambiens Temperature |
Circum scelerisque conditio definit |
|
Installation Dimensiones |
Determinat available spatium |
|
Potestas Supple |
Constituit condiciones electrica operating |
|
Calor dissipatio Methodo |
Definiens calidum latus scelerisque semita |
|
Sensor Location |
Temperatus mensurae punctum agnoscit |
|
Cycle operating |
Adjuvat assess saepe scelerisque operationem |
|
quantitas |
Sustinet specimen et productio consilio |
Detractio seu specimen physicum utile est etiam cum ecclesia ad structuram instrumenti exsistenti congruere debet.
Ita. Aversante currenti electrica directione translationis caloris mutat, permittens TEC providere vel refrigerationem vel calefactionem secundum imperium postulationis.
Ita. Subambientes operatio infra 0°C extendere potest cum TEC configuration, scelerisque onus, condiciones calidae laterales, ratio moderandi apta sunt ad range temperatura debita.
N. Thermoelectricae cogitationes in solido statu semiconductoris elementis potius quam compressoribus, motoribus vel aliis partibus moto mechanicis utuntur. Hoc eos aptas facit applicationibus ubi vibratio minui debet.
A TEC evacuationem continuam in se non requirit, sed calor in latus calidum translatus efficaciter dissipari debet. Apta methodus caloris reprobationis ex instrumento instrumenti completo dependet.
